王占国， （1938年12月29日—），半导体材料物理学家、中国科学院院士。河南镇平人。1962年，王占国毕业于南开大学物理系。1962年-1980年，王占国在中国科学院半导体研究所，先后任实习研究员、助理研究员。1980年-1983年，王占国在瑞典隆德大学固体物理系，从事深能级物理和光谱物理研究。1986年，王占国任中国科学院半导体所研究员、材料室主任。1988年，王占国被授予“国家有突出贡献中青年专家”称号。1990年，王占国获国家科技进步三等奖。同年，王占国被批准为博士生导师。1990年-1994年，王占国任中国科学院半导体所副所长。1991年-1991年，王占国在瑞典隆德大学固体物理系，任访问教授。1994年6月-1994年7月，王占国在英国Surrey大学电电气工程系，任短期访问教授（中英科学合作项目）。1995年，王占国当选为中国科学院院士。2000年，王占国获中国科学院自然科学一等奖。2001年，王占国获何梁何利科学与技术进步奖、宝洁优秀研究生导师奖。著有《纳米半导体技术》《超宽禁带半导体材料》等。