(1918年2月7日—2003年3月4日),女,半导体材料学家,物理学家,中国科学院院士,被誉为“中国太空材料之母”。福建莆田人。祖父林竹庭,父亲林剑华,母亲周水仙,弟弟林文豪。1930年-1933年,林兰英就读于砺青中学。1933年-1934年,林兰英就读于莆田中学高中部。1934年-1936年,林兰英就读于咸益女子中学。1936年-1940年,林兰英就读于福建协和大学(福建师范大学前身)数理系。1940年-1944年,林兰英在福建协和大学任助教。1944年-1948年,林兰英在福建协和大学任讲师。1948年-1949年,林兰英就读于宾夕法尼亚大学狄金逊学院,获数学学士学位。1949年,林兰英获美国荣誉学会狄金逊分会授予的金钥匙。1949年-1951年,林兰英就读于美国宾夕法尼亚大学研究院,获固体物理学硕士学位。1955年,林兰英获美国宾夕法尼亚大学固体物理学博士学位。1955年-1956年,林兰英在索文尼亚(Sylvania)公司任高级工程师。1957年,林兰英在中国科学院应用物理所半导体研究室工作。1958年,林兰英用从国外带回的硅单晶做籽晶,拉制成功了中国第一根硅单晶。1960年,林兰英任半导体研究所材料研究室主任、研究员。1961年,林兰英主持设计加工的中国第一台开门式硅单晶炉制造成功。1962年,林兰英采用水平布里奇曼生长法,成功制备了砷化镓单晶。1973年,林兰英第一次提出用汽相外延和液相外延法制取砷化镓单晶。1977年-1983年,林兰英任半导体研究所副所长。1980年,林兰英当选为中国科学院学部委员(院士)。1985年,林兰英以提高砷化镓材料质量的研究,获国家科学技术进步奖二等奖。1987年-1990年,林兰英进行砷化镓单晶太空生长实验3次,均获得成功。1996年,林兰英获何梁何利科技进步奖。1998年,林兰英获霍英东成就奖。

林兰英, (1918年2月7日—2003年3月4日),女,半导体材料学家,物理学家,中国科学院院士,被誉为“中国太空材料之母”。福建莆田人。祖父林竹庭,父亲林剑华,母亲周水仙,弟弟林文豪。1930年-1933年,林兰英就读于砺青中学。1933年-1934年,林兰英就读于莆田中学高中部。1934年-1936年,林兰英就读于咸益女子中学。1936年-1940年,林兰英就读于福建协和大学(福建师范大学前身)数理系。1940年-1944年,林兰英在福建协和大学任助教。1944年-1948年,林兰英在福建协和大学任讲师。1948年-1949年,林兰英就读于宾夕法尼亚大学狄金逊学院,获数学学士学位。1949年,林兰英获美国荣誉学会狄金逊分会授予的金钥匙。1949年-1951年,林兰英就读于美国宾夕法尼亚大学研究院,获固体物理学硕士学位。1955年,林兰英获美国宾夕法尼亚大学固体物理学博士学位。1955年-1956年,林兰英在索文尼亚(Sylvania)公司任高级工程师。1957年,林兰英在中国科学院应用物理所半导体研究室工作。1958年,林兰英用从国外带回的硅单晶做籽晶,拉制成功了中国第一根硅单晶。1960年,林兰英任半导体研究所材料研究室主任、研究员。1961年,林兰英主持设计加工的中国第一台开门式硅单晶炉制造成功。1962年,林兰英采用水平布里奇曼生长法,成功制备了砷化镓单晶。1973年,林兰英第一次提出用汽相外延和液相外延法制取砷化镓单晶。1977年-1983年,林兰英任半导体研究所副所长。1980年,林兰英当选为中国科学院学部委员(院士)。1985年,林兰英以提高砷化镓材料质量的研究,获国家科学技术进步奖二等奖。1987年-1990年,林兰英进行砷化镓单晶太空生长实验3次,均获得成功。1996年,林兰英获何梁何利科技进步奖。1998年,林兰英获霍英东成就奖。